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使用单片机实现电话拨号报警器的概述

文章来源:admin    时间:2020-09-26

  1 短序 跟着人们生计水准的延续降低,家庭和平正正在渐渐惹起珍重。正在家庭室庐处装置防盗及险谍报警体系,使主人能实时支配室庐发作的警情,恰是人们所期盼的。智能电话报警体系是以单片机为中枢,运用群众通信网为传输序言对室庐实行和平看管,具有牢靠性高、本钱低、易普及等长处。

  智能电话报警体系实行的重要功用如下:当室内有警情发作时(如有人不法进入室内、煤气揭发、失火等),智能电话报警体系能实时地通过各样传感器获知警情,对警情的品种实行鉴定,并即刻自愿挨次拨打预设的1~9组电话。正在拨号后,最先鉴定对方是否摘机。如是,则遵照差异的警情播放相应的录制好的语音报警实质,不然,挂机后拨下一组预制电线组电线 硬件构成及道理

  本体系重要采用AT89C5l举动中枢。HT9170和HT9200A举动双音众频(DTMF)信号摄取器和发作器,

  。采用CHMOS工艺手艺,且与MCS-51产物相兼容。内部集成通用的8位CPU和FlashRAM。其使用鸿沟广,本能优异,可用于管理繁复的驾驭题目。运用AT89C51的I/O端口对传感器信号实行及时监控,对HT9200A拨号实行长途驾驭,驾驭ISD1420语音器件的语音播放。3.2 拨号体系

  拨号体系采用HT9170和HT9200A辨别举动双音众频(DTMF)信号摄取器和发作器。

  HT9200A是串行式DTMF信号发作器,具有优异的温度合适性,其事务温度鸿沟为一20℃~+70℃,采用8引脚

  VDD、VSS:电源正负输入端,寻常事务电压鸿沟为2 V~5.5 V,事务

  约为2mA;CLK:串行数据的同步信号输入端,fCLK约为100kHz;

  功用的双音频DTMF摄取器,可事务正在掉电形式和禁止形式下。HT9170系列器件都是采用数字化筹算手腕识别,将16倍的DTMF音频解码后转化为4位代码输出。高精度的转换电容滤波器将音频DTMF信号分辩为低频信号和高频信号,自带拨号音频阻波电途可省去前置滤波器所需的阻波电途。HT9170的引脚陈列如图3所示。拨号电途道理图如图4、图5所示。

  ISD1420为美邦ISD公司推出的产物,单片录下班夫8 s~20 s,音质好。ISD1420采用CMOS手艺,内含振荡器、发话器前置放大、自愿增益驾驭、防稠浊滤波器、滑润滤波器、扬声器驱动及EEP

  阵列。最小的录放体系仅需麦克风、喇叭、两个按钮、电源及少量。正在录放操作完成后,器件自愿进入低功耗节电形式,功耗仅0.5μA。ISD1420系列有独一的灌音驾驭和边沿/电平触发两种放音驾驭。不分段时外围线途最简,也可按最小段长为单元放肆组合分段,供给若干操作形式,大大降低了驾驭的敏捷性。

  ISD1420采用众电平直接模仿量存储专利手艺,每个采样直接存储正在片内单个EEPROM单位中,于是可能十分确实、自然地再现语音、音乐、调子成绩,避免了寻常固体灌音电途因量化和压缩形成的量化噪声和“金属声”。采样频率为5.3kHz、6.4 kHz到8.0 kHz,对音质仅有微小影响。片内消息可保全100年(无需后备电源),EEP-ROM单片可频频灌音十万次。语音电途道理图如图6所示。

  组织计划,由主轨范、停滞任职轨范和闭系子轨范(如延时子轨范、语音提示子轨范、放音子轨范、拨号子轨范等)构成。其主轨范流程图如图7所示。拨号报警子轨范流程图如图8所示。

  该体系计划运用单片机实行报警功用,驾驭敏捷;运用电话网举动传输媒体,具有火速报警、确实牢靠的特色。该体系计划本钱低,家庭应用和平轻易,具有普遍的使用前景。

  本文档的重要实质详尽先容的是应用单片机实行数码管试验的轨范和工程文献免费下载。

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  ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景搬动使用轨范的平板电脑和智熟手机

  程序的参数寻找 易于拜候密钥产物参数 部件号寻找用于直接拜候特定的产物 数据外的下载离线商酌 来采样和采办 最喜爱的个人数字管束 产物功用分享通过电子邮件或社交媒体 合用于Android™或iOS™操作体系 正在Wandoujia使用轨范店肆,为中邦用户供给 正在STPOWER IGBT取景器是Android或iOS修筑上应用的手机使用轨范供给通过正在线产物组合中的一个用户友情的取代寻找,驱动用户应用以及便携式修筑顺遂和简略的导航体验。参数寻找引擎同意用户火速识别出最适合其使用适宜的产物。此使用轨范可正在谷歌播放,App Store和Wandoujia。...

  ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产物查找轨范

  ,零件编号和产物 手艺数据外下载和离线商酌一系列的寻找功用 拜候重要产物规格(重要电气参数,产物寻常解释,重要特色和墟市位子) 对产物和数据外保藏栏目 可能通过社交媒体或通过电子邮件共享手艺文档 可正在安卓™和iOS™使用店肆 ST-DIODE-FINDER是可用于Android™和iOS™的使用轨范,它能够让你追求应用便携式修筑的ST二极管的产物组合。您能够轻松地界说修筑最适合应用参数或一系列的寻找引擎使用轨范。您还能够找到你的产物因为采用了高效的零件号的寻找引擎。...

  ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM产物的取景器为Android和iOS

  教导寻找 个人号码寻找才气 重要产物功用浮现 数据外下载和离线商酌 产物功用分享通过电子邮件或社交媒体 样品订购所选产物的 主屏幕上的发言选取 ST-EEPROM-FINDER是追求意法半导体串行EEPROM组合最速和最明智的方法应用智能电话或平板。

  ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景搬动使用轨范的平板电脑和智熟手机

  或产物号的产物寻找才气 手艺数据外下载和离线商酌 拜候重要产物规格(重要电气参数,产物寻常解释,重要特色和墟市位子) 对产物和数据外 可能通过社交媒体或通过电子邮件共享手艺文档 合用于Android保藏节™和iOS™使用店肆 ST-MOSFET-Finder是可用于Android™和iOS™的使用轨范,它能够让你追求的ST功率MOSFET产物组合应用便携修筑。您能够轻松地界说修筑最适合应用参数寻找引擎使用轨范。您还能够找到你的产物因为采用了高效的零件号的寻找引擎。...

  ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和传感器产物查找用于搬动修筑

  于Android和iOS电话搬动使用 友情的用户界面 的直观的产物的选取: MEMS和传感器 评估东西 使用 参数寻找应用众个过滤器 部件号寻找 拜候手艺文档 从ST经销商正在线订购 通过电子邮件或社交媒体最喜爱的个人数字管束体验分享 声援的发言:英语(中邦,日本和韩邦即将推出) 正在ST-SENSOR-FINDER供给搬动使用轨范的Android和iOS,供给用户友情的取代通过MEMS和传感器搜集产物组合寻找,驱动用户一同顺遂和简略的导航体验。...

  TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源管理计划同步降压驾驭器,2A LDO,缓冲参考

  消息描绘 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...

  AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

  消息上风和特色 单通道、1024位分别率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)逛标存储器 温度系数(变阻器形式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(互换或双极性事务形式) I2C兼容型接口 逛标扶植和存储器回读 上电时从存储器更始 电阻容差存储正在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产物详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻本能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既能够采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也能够采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并供给50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的逛标扶植可通过I²C兼容型数字接口驾驭。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可实行无尽次调度。AD5175不需求任何外部电压源来助助熔断熔丝,并供给50次长久编程的机缘。正在50-TP激活时期,一个长久熔断熔丝指令会将电阻地点固定(相仿于将环氧树脂涂正在机器式调度器上)。AD5175供给3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保障事务温度鸿沟为−40°C至+125°C扩展...

  AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

  消息上风和特色 单通道、1024位分别率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)逛标存储器 温度系数(变阻器形式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(互换或双极性事务形式) SPI兼容型接口 逛标扶植和存储器回读 上电时从存储器更始 电阻容差存储正在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产物详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻本能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既能够采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也能够采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并供给50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的逛标扶植可通过SPI数字接口驾驭。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可实行无尽次调度。AD5174不需求任何外部电压源来助助熔断熔丝,并供给50次长久编程的机缘。正在50-TP激活时期,一个长久熔断熔丝指令会将电阻地点固定(相仿于将环氧树脂涂正在机器式调度器上)。AD5174供给3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保障事务温度鸿沟为−40°C至+125°C扩展工业...

  AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

  消息上风和特色 单通道、256/1024位分别率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差偏差(电阻本能形式):±1%(最大值) 20次可编程逛标存储器 温度系数(变阻器形式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲分解更众性子,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度鸿沟:−55°C至+125°C 受控成立基线 独一封装/测试厂 独一成立厂 巩固型产物调换通告 认证数据可应请求供给 V62/12616 DSCC图纸号产物详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻本能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件可能正在宽电压鸿沟内事务,声援±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差偏差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保障低电阻容差偏差性子能够简化开环使用,以及细密校准与容差配合使用。AD5291和AD5292的逛标扶植可通过SPI数字接口驾驭。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可实行无尽次调度。这些器件不需求任何外部电压源来助助熔断熔丝,并供给20次长久编程的机...

  AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

  消息上风和特色 单通道、256/1024位分别率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻本能形式) 20次可编程 温度系数(变阻器形式):35 ppm/°C 温度系数(分压器形式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲分解更众性子,请参考数据手册 产物详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,辨别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻本能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的事务电压鸿沟很宽,既能够采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也能够采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差偏差小于1%,并供给20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保障低电阻容差偏差性子能够简化开环使用,以及细密校准与容差配合使用。AD5291/AD5292的逛标扶植可通过SPI数字接口驾驭。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可实行无尽次调度。这些器件不需求任何外部电压源来助助熔断熔丝,并供给20次长久编程的机缘。正在20-TP激活时期,一个长久熔断熔丝指令会将逛标地点固定(相仿于将环氧树脂涂正在机器式调度器上)。AD5291/AD52...

  消息上风和特色 四通道、64位分别率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储逛标扶植,并具有写扞卫功用 上电光复至EEMEM扶植,更始工夫规范值为300 µs EEMEM重写工夫:540 µs(规范值) 电阻容差存储正在非易失性存储器中 EEMEM供给12个格外字节,可存储用户自界说消息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预订义线性递增/递减号召 预订义±6 dB阶跃转化号召 欲分解更众消息,请参考数据手册产物详情AD5253/AD5254辨别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字驾驭电位计,可实行与机器电位计、调度器和可变电阻不异的电子调度功用。AD5253/AD5254具有众功用编程才气,能够供给众种事务形式,囊括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例转化、逛标扶植回读,并格外供给EEMEM用于存储用户自界说消息,如其它器件的存储器数据、查找外或体系识别消息等。主控I2C驾驭器能够将任何64/256步逛标扶植写入RDAC寄存器,并将其存储正在EEMEM中。存储扶植之后,体系上电时这些扶植将自愿光复至RDAC寄存器;也能够动态光复这些扶植。正在同步或异步通...

  AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

  消息上风和特色 四通道、256位分别率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储逛标扶植,并具有写扞卫功用 上电光复为EEMEM扶植,更始工夫规范值为300 µs EEMEM重写工夫:540 µs(规范值) 电阻容差存储正在非易失性存储器中 EEMEM供给12个格外字节,可存储用户自界说消息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预订义线性递增/递减号召 预订义±6 dB阶跃转化号召 欲分解更众性子,请参考数据手册产物详情AD5253/AD5254辨别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字驾驭电位计,可实行与机器电位计、调度器和可变电阻不异的电子调度功用。AD5253/AD5254具有众功用编程才气,能够供给众种事务形式,囊括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例转化、逛标扶植回读,并格外供给EEMEM用于存储用户自界说消息,如其它器件的存储器数据、查找外或体系识别消息等。主控I2C驾驭器能够将任何64/256步逛标扶植写入RDAC寄存器,并将其存储正在EEMEM中。存储扶植之后,体系上电时这些扶植将自愿光复至RDAC寄存器;也能够动态光复这些扶植。正在同步或异步通...

  消息上风和特色 非易失性存储器可保全逛标扶植 电阻容差存储正在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 逛标扶植回读功用 线性递增/递减预订义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预订义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM扶植,更始工夫小于1 ms 非易失性存储器写扞卫 数据保存克日:100年(规范值, TA = 55°C )产物详情AD5252是一款双通道、数字驾驭可变电阻(VR),具有256位分别率。它可实行与电位计或可变电阻不异的电子调度功用。该器件通过微驾驭器实行众功用编程,能够供给众种事务与调度形式。正在直接编程形式下,能够从微驾驭器直接加载RDAC寄存器的预扶植。正在另一种重要事务形式下,能够用以前存储正在EEMEM寄存器中的扶植更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的逛标位时,能够通过推广EEMEM保全操作,将该扶植值保全正在EEMEM中。一朝将扶植保全正在EEMEM寄存器之后,这些值就能够自愿传输至RDAC寄存器,以便正在体系上电时扶植逛标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也能够从外部拜候预设值。根基调度形式便是正在逛标位扶植(RDAC)寄...

  消息上风和特色 非易失性存储器保全逛标扶植 电阻容差存储正在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 逛标扶植回读功用 线性递增/递减预订义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预订义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM扶植,更始工夫小于1 ms 非易失性存储器写扞卫 数据依旧才气:100年(规范值,TA = 55°C )产物详情AD5251是一款双通道、数字驾驭可变电阻(VR),具有64位分别率。它可实行与电位计或可变电阻不异的电子调度功用。该器件通过微驾驭器实行众功用编程,能够供给众种事务与调度形式。正在直接编程形式下,能够从微驾驭器直接加载RDAC寄存器的预扶植。正在另一种重要事务形式下,能够用以前存储正在EEMEM寄存器中的扶植更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的逛标位时,能够通过推广EEMEM保全操作,将该扶植值保全正在EEMEM中。一朝将扶植保全正在EEMEM寄存器之后,这些值就能够自愿传输至RDAC寄存器,以便正在体系上电时扶植逛标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也能够从外部拜候预设值。根基调度形式便是正在逛标位扶植(RDAC)寄存器...

  消息上风和特色 双通道、1024位分别率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差偏差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储逛标扶植 加电更始EEMEM扶植 长久性存储器写扞卫 电阻容差贮存于EEMEM中 26字节格外非易失性存储器,用于存储用户界说消息 1M编程周期 规范数据保存期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度鸿沟:-40℃至+125°C 受控成立基线 一个装置/测试厂 一个成立厂 巩固型产物调换通告 认证数据可应请求供给 V62/11605 DSCC图纸号产物详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,具有1024阶跃分别率,保障最大低电阻容差偏差为±8%。该器件可实行与机器电位计不异的电子调度功用,况且具有巩固的分别率、固态牢靠性和精华的低温度系数本能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有敏捷的编程才气,声援众达16种事务形式和安排形式,个中囊括暂存编程、存储器存储和光复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调度和逛标扶植回读,同时供给格外的EEMEM1 ,用于存储用户界说消息,如其他元件的存储器数据、查找外、体系标识消息等。...

  消息上风和特色 1024位分别率 非易失性存储器保全逛标扶植 上电时运用EEMEM扶植更始 EEMEM光复工夫:140 µs(规范值) 完整枯燥性事务 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 长久存储器写扞卫 逛标扶植回读功用 预订义线性递增/递减指令 预订义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产物详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字驾驭电位计**,供给1024阶分别率。它可实行与机器电位计不异的电子调度功用,况且具有巩固的分别率、固态牢靠性和遥控才气。该器件功用充裕,可通过一个程序三线式串行接口实行编程,具有16种事务与调度形式,囊括便笺式编程、存储器存储与光复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调度、逛标扶植回读,并格外供给EEMEM用于存储用户自界说消息,如其它器件的存储器数据、查找外或体系识别消息等。正在便笺式编程形式下,能够将特定扶植直接写入RDAC寄存器,以扶植端子W–A与端子W–B之间的电阻。此扶植能够存储正在EEMEM中,并正在体系上电时自愿传输至RDAC寄存器。EEMEM实质能够动态光复,或者通过外部PR选通脉冲予以光复;WP功用则可扞卫EE...

  28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部结构为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并声援串行外设接口(SPI)订交。通过片选( CS )输入使能器件。别的,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128修筑的任何串行通讯。该器件具有软件和硬件写扞卫功用,囊括个人和总计阵列扞卫。 片上ECC(纠错码)使该器件合用于高牢靠性使用。 合用于新产物(Rev. E)。 性子 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件扞卫 低功耗CMOS手艺 SPI形式(0,0& 1,1) 工业温度鸿沟 自按时写周期 64字节页面写缓冲区 块写扞卫 - 扞卫1 / 4,1 / 2或全豹EEPROM阵列 1,000,000谋划/期间se周期 100年数据保存 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此修筑无铅,无卤素/ BFR,合适RoHS程序 其他识别具有长久写扞卫的页面 使用 汽车体系 通信体系 筹算机体系 消费者体系 工业体系 电途图、引脚图和封装图...

  56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部结构为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并声援串行外设接口(SPI)订交。通过片选( CS )输入使能器件。别的,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256修筑的任何串行通讯。该器件具有软件和硬件写扞卫功用,囊括个人和总计阵列扞卫。 片上ECC(纠错码)使该器件合用于高牢靠性使用。 合用于新产物(Rev. E)。 性子 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压鸿沟 SPI形式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有长久写扞卫的附加标识页(新产物) 自按时写周期 硬件和软件扞卫 100年数据保存期 1,000,000个轨范/擦除周期 低功耗CMOS手艺 块写扞卫 - 扞卫1 / 4,1 / 2或扫数EEPROM阵列 工业温度鸿沟 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及合适RoHS程序 使用 汽车体系 Communica tions Systems 筹算机体系 消费者体系 工业体系 ...

  消息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部结构为512x8位。安森美半导体先辈的CMOS手艺大大低落了器件的功耗请求。它具有16字节页写缓冲区,并声援串行外设接口(SPI)订交。该器件通过片选()启用。别的,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040修筑的任何串行通讯。该器件具有软件和硬件写扞卫功用,囊括个人和总计阵列扞卫。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压鸿沟 SPI形式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自按时写入周期 硬件和软件扞卫 块写扞卫 - 扞卫1 / 4,1 / 2或扫数EEPROM阵列 低功耗CMOS手艺 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保存 工业和扩展温度鸿沟 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,合适RoHS程序...

  60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部结构为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并声援串行外设接口(SPI)订交。通过片选( CS )输入使能器件。别的,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160修筑的任何串行通讯。这些器件具有软件和硬件写扞卫功用,囊括个人和总计阵列扞卫。 性子 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压鸿沟 SPI形式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自按时写周期 硬件和软件扞卫 块写扞卫 - 扞卫1 / 4,1 / 2或总计EEPROM阵列 低功耗CMOS手艺 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保存 工业温度鸿沟 合适RoHS程序的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 使用 汽车体系 通信体系 筹算机体系 消费者体系 工业体系 电途图、引脚图和封装图...

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